新型半導體器件可在納米水平生成離子層 (2006-07-30)
發(fā)布時間:2007-12-04
作者:
來源:科技日報
瀏覽:1055
加拿大多倫多大學電氣與計算機工程系開發(fā)出一種比現(xiàn)今常規(guī)芯片表現(xiàn)更佳的新型半導體器件。據研究小組負責人特德?沙爾金教授介紹,該半導體器件的開發(fā)成功,首次使所謂的“濕”式半導體的性能超過了傳統(tǒng)的成本較高的晶體生長的半導體器件。7月13日出版的《自然》雜志對該項發(fā)現(xiàn)進行了報道。
傳統(tǒng)制造計算機芯片、光纖激光器、數(shù)字相機成像感應器的方法既費時,又耗能且成本還高,因為它們都要依賴在原子水平上生長晶體,這需要1000攝氏度以上的溫度環(huán)境。
而多倫多大學的研究人員在一個裝有超純油酸(橄欖油的主要成分)的燒瓶內加熱半導體離子,這種離子的直徑僅有幾個納米。然后研究人員將溶液放在一個帶有金電極的玻璃片上,使用一種旋轉噴涂工藝使溶液滴擴展成平滑、連續(xù)的半導體薄膜。待溶液蒸發(fā)后,就留下了800納米厚的光敏感納米離子層。
沙爾金教授介紹,在室溫下這種噴涂形成的光電探測器對紅外光的敏感度比現(xiàn)有的軍用夜視儀和生物醫(yī)學成像裝置高10倍,是一種特別敏感的光傳感器。現(xiàn)在證明溶液工藝電子學能夠將低成本和高性能結合在一起。
麻省理工學院的約翰?瓊那珀拉斯教授認為,多倫多大學的研究工作對基礎研究和工業(yè)化生產都非常重要,能夠實際制造出可用于短波紅外探測器和發(fā)射器的低成本、可噴涂、高性能的半導體器件,對通信、成像和監(jiān)視技術的發(fā)展具有非常重要的意義。