日前，美國IBM公司和日本索尼公司、東芝公司宣布，將聯(lián)手開發(fā)32納米的下一代大規(guī)模集成電路，并計(jì)劃在2013年投放市場(chǎng)，與韓國三星電子和美國英特爾公司展開競(jìng)爭(zhēng)。 　　據(jù)報(bào)道，日美這3家公司計(jì)劃在今后5年內(nèi)將公司有關(guān)研究開發(fā)人員集中到IBM公司在紐約的研究基地和工廠，研究開發(fā)32納米大規(guī)模集成電路所必需的基礎(chǔ)技術(shù)。目前，日本主流集成電路半導(dǎo)體線路為90納米，最尖端的為65納米。國際上許多大型半導(dǎo)體生產(chǎn)廠家正在 研究開發(fā)45納米的半導(dǎo)體。為了在競(jìng)爭(zhēng)中保持優(yōu)勢(shì)，日美上述3家公司決定著手研究開發(fā)32納米半導(dǎo)體技術(shù)。 　　東芝在加工技術(shù)和制造能力，索尼在多樣化的半導(dǎo)體技術(shù)和對(duì)消費(fèi)者市場(chǎng)的深入了解，IBM在材料技術(shù)方面分別居于世界領(lǐng)先位置。過去5年，3家公司聯(lián)合在90納米和65納米級(jí)別的芯片研究上取得重大進(jìn)展。 　　集成電路和存儲(chǔ)器半導(dǎo)體的線路越細(xì)微，就越能使電器產(chǎn)品更加趨向小型化，并能提高產(chǎn)品性能。