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美日聯(lián)手開發(fā)32納米集成電路 (2006-01-23)

發(fā)布時(shí)間:2007-12-04 作者: 來(lái)源:經(jīng)濟(jì)參考報(bào) 瀏覽:1271
  日本索尼、東芝和美國(guó)IBM公司最近宣布將在半導(dǎo)體的微細(xì)加工方面加強(qiáng)合作,聯(lián)手共同開發(fā)32納米的下一代大規(guī)模集成電路,并計(jì)劃在2013年投放市場(chǎng),與韓國(guó)三星電子和美國(guó)英特爾公司展開競(jìng)爭(zhēng)。   集成電路和存儲(chǔ)器半導(dǎo)體的線路越細(xì)微,就越能使電器產(chǎn)品更加趨向小型化,并且還能夠提高產(chǎn)品的性能。目前,日本主流集成電路半導(dǎo)體線路為90納米,最尖端的為65納米。
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