韓研制出2納米金屬線 開半導體工藝新紀元 (2005-11-21)
發(fā)布時間:2007-12-04
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11月17日消息,本周四,韓國科技部正式表示,本國科學家已經(jīng)成功研制出了全球最薄的金屬線,而這一成功也被視為足以震驚科技領域的重大突破。
english.yna.co.kr報道,此次研制出的金屬線寬度僅僅為2納米,由韓國首都首爾的Yonsei大學原子線研發(fā)中心所開發(fā)。
分析家指出,隨著這種超薄金屬線技術的面世,未來半導體產(chǎn)品將擁有更大的容量和更快的速度。據(jù)此次研究小組的12位科學家透露,通過此項技術,未來內(nèi)存芯片的尺寸將會極大程度上被降低,而半導體篆刻工藝也將進入全新的2納米時代。
目前為止,韓國三星旗下最為先進的16G內(nèi)存仍然使用著50納米設計標準。而業(yè)界目前所制定的目標,也只不過是成功過渡到25納米技術而已。此項研究始于2003年,由韓國科技部所贊助,總耗費資金達到了214萬美元。